آدرس ایمیل

درخت آموزش

دانشجویی

دانش آموزی

جستجوی پیشرفته

  • فایلهای ضمیمه (برای دانلود لاگین نمایید)
  • شاخص های کلیدی، آماده سازی نمونه؛و مزایا، محدودیت ها و کاربردها در میکروسکوپ الکترونی روبشی

برترین کاربران این جلسه

برترین کاربران سایت (دانشجویی)

برترین کاربران در روز (دانشجویی)

برترین کاربران در هفته (دانشجویی)

برترین کاربران در ماه (دانشجویی)

برترین کاربران در سال (دانشجویی)

برترین نویسندگان سایت (دانشجویی)

مقالات مرتبط

آمار مقاله

  • 5تعداد بازدید امروز این مقاله
  • 90تعداد بازدید ماهانه این مقاله
  • 14628تعداد بازدید کل از این مقاله
  • 437تعداد آزمون‌های برگزار شده مقاله
  • 147تعداد شرکت کنندگان یکتا
  • 69.52میانگین درصد شرکت کنندگان
    کلمات کلیدی :
  • قدرت تفکیک
  • بزرگنمایی
  • نمونه سازی
  • پوشش دهی
  • میکروسکوپ‌ الکترونی روبشی
  • SEM

  •  1 - مهدی مشرف جوادی (نویسنده اول) - دکتری تخصصی - مهندسی فناوری نانو - دانشگاه تهران پردیس دانشکده های فنی دانشکده مهندسی مواد و متالورژی
  •  2 - محمد هادی مقیم* (نویسنده مسئول) - دانشجوی دکتری تخصصی - مهندسی مواد - دانشگاه شیراز دانشکده فنی و مهندسی گروه مهندسی مواد

SEM5 :

شاخص های کلیدی، آماده سازی نمونه؛و مزایا، محدودیت ها و کاربردها در میکروسکوپ الکترونی روبشی

شرکت در آزمون
برای شرکت در آزمون می بایست وارد سیستم شوید
نمونه ی مورد مطالعه در SEM، مانند تمامی روش های میکروسکوپی دیگر باید ویژگی هایی داشته باشد که مهم ترین آنها ابعاد محدود و صلب بودن نمونه است. برای بررسی نمونه‌ها با میکروسکوپ SEM باید آنها را آماده سازی کرد. رسانا بودن سطح نمونه شرط لازم نمونه است تا بتوان آن را مورد بررسی قرار داد. به همین جهت، برای نمونه های نارسانا، از یک پوشش نازک رسانا بر روی نمونه استفاده می شود. انجام مطالعات میکروسکوپی با SEM مزایای بسیاری چون عمق میدان بالا، بزرگنمایی و حد تفکیک زیاد، متنوع بودن نتایج، دستیابی به تصاویر سه بعدی و ... را به همراه دارد که باعث گردیده کاربردهای گسترده ای در علوم مختلف فیزیک، شیمی، زمین شناسی، کشاورزی، صنایع غذایی، پزشکی و مهندسی مواد، نساجی، عمران، مکانیک، بیوفناوری و نانوفناوری داشته باشد.


5-1- شاخص های کلیدی در SEM

5-1-1- عمق میدان (Depth of Field)
عمق میدان بزرگ یکی از مزایای SEM می باشد. عمق میدان فاصله ای است که می توان جسم را درون آن جابجا کرد، بدون آنکه چشم، تغییری در کیفیت تصویر آن تشخیص دهد و بتوان به طور همزمان تصویر واضحی از آن تهیه نمود. در شکل 1، عمق میدان با
´´d´d مشخص شده است.


filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820

شکل 1–شماتیک ساده ی عمق میدان در یک لنز (نقص ها در نظر گرفته نشده اند)[1].



عمق میدان در SEMها، در بزرگنمایی های کمتر، بسیار بیشتر است. به طور مثال، عمق میدان در بزرگنمایی های زیر 20، حدود 2 میلیمتر است. بعلاوه، در یک بزرگنمایی ثابت، عمق میدان یک SEM بیش از 100 برابر عمق میدان میکروسکوپ نوری است. شکل 2 به خوبی اثر عمق میدان بالای یک SEM را در تهیه ی تصویر نشان می دهد. جهت افزایش عمق میدان می توان از دو روش استفاده نمود: (1) کاهش اندازه ی روزنه ی نهایی با استفاده از روزنه های ریزتر (شکل 3) و (2) افزایش فاصله-ی سطح نمونه با لنز نهایی که منجر به کاهش زاویه ی تصویرسازی می گردد (شکل 4)[1]. چندرسانه ای 1 نیز تأثیر کاهش اندازه ی روزنه ی نهایی بر عمق میدان را نمایش می دهد.


filereader.php?p1=main_1d665b9b1467944c1
شکل 2–اثر عمق میدان در تهیه ی تصاویر در (الف) میکروسکوپ نوری و (ب)SEM . ملاحظه می شود که در SEM به دلیل عمق میدان بالاتر به تصاویر بسیار بهتری می توان دست یافت. ذرات از جنس آلیاژ آلومینیوم هستند که به روش انجماد سریع تولید شده اند[2].


filereader.php?p1=main_7bc3ca68769437ce9
شکل 3–اثر اندازه ی روزنه ی نهایی بر عمق میدان: روزنه ی کوچکتر (ب) عمق میدان بیشتری را نسبت به روزنه ی بزرگتر (الف) فراهم می کند [3]. 


filereader.php?p1=main_13207e3d5722030f6
شکل 4–اثر فاصله ی سطح نمونه با لنز نهایی بر عمق میدان: فاصله ی کاری کمتر (الف) عمق میدان کمتری را نسبت به فاصله ی کاری بزرگتر (ب) فراهم می کند [3]. 


5-1-2- قدرت تفکیک (Resolution)
طبق تعریف، قدرت تفکیک عبارت است از حداقل فاصله ی دو نقطه ی غیر مشابه (با خصوصیت تصویری متفاوت (Separate Features)) از نمونه که به صورت دو نقطه ی متفاوت (قابل تشخیص) بر روی تصویر دیده می شود. قدرت تفکیک درمیکروسکوپ ها با رابطه ی زیر بیان می شود:


filereader.php?p1=main_cda522d4353b166cc


که در آن λ طول موج پرتوی تصویرساز، μ ضریب شکست محیط تصویر و αزاویه ی تصویرسازی می باشد. به کمک این رابطه به خوبی می توان قدرت تفکیک میکروسکوپ های نوری و الکترونی را مقایسه نمود. زاویه ی تصویرگیری در میکروسکوپ های الکترونی بسیار کمتر از میکروسکوپ های نوری است و از همه مهم تر طول موج پرتوهای الکترونی بسیار کمتر از پرتوهای نور مرئی می باشد (طول موج فوتون های نور مرئی 390 تا 750 نانومتر و طول موج رایج در میکروسکوپ های الکترونی رایج کمتر از 0.06 نانومتر است. این مقدار با افزایش ولتاژ شتاب دهنده ی میکروسکوپ الکترونی کاهش پیدا می¬کند.). با توجه به اثر بسیار بزرگ تفاوت طول موج پرتوهای نوری و الکترونی، اثر تغییرات ضریب شکست ناچیز خواهد بود. بنابراین قدرت تفکیک میکروسکوپ الکترونی بسیار بهتر از میکروسکوپ نوری است. لازم به ذکر است که قدرت تفکیک همواره از قطر پرتوی الکترونی ورودی بزرگتر می باشد[1،4،5]. الکترون های ثانویه دارای حد تفکیک بسیار بالایی هستند که علت این ویژگی این است که فضایی که الکترون های ثانویه از آن خارج می شوند، تقریبا برابر قطر پرتوی الکترونی اولیه است. به علت حد تفکیک کوچکتر الکترون های ثانویه، در بزرگنمایی های بسیار بالاتنها از تصاویر الکترون های ثانویه استفاده می شود[6].

5-1-3- بزرگنمایی (Magnification)
در میکروسکوپ های نوری، لنزها در مسیر پرتوهای عبور یافته یا منعکس شده از سطح نمونه قرار گرفته و با تغییر زاویه ی حرکت پرتو و به دنبال آن تغییر محل تقاطع پرتوها، منجر به بزرگنمایی می شوند. این موضوع در مورد لنز شیئ در میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) نیز صادق است. اما در SEM اینطور نیست. نکته ی بسیار مهم و جالب در رابطه با مکانیزم بزرگنمایی در SEM، این است که لنزها تنها مشخصات پرتوی الکترونی اولیه را تنظیم می کنند و بر مشخصات پرتوهای ساطع شده از نمونه تأثیری ندارند. از اینرو می توان گفت که لنزها در بزرگنمایی تصاویر SEM تأثیر مستقیمی ندارند. با این وجود باید به خاطر داشت که قطر و سایر مشخصات پرتوهای ساطع شده از نمونه متأثر از پرتوی الکترونی اولیه است که توسط لنزهای تعبیه شده در ستون اپتیکی آماده سازی شده است.
مکانیزم بزرگنمایی در میکروسکوپ الکترونی، در واقع نتیجه ی یک نسبت هندسی بوده و بر اساس رابطه ی زیر قابل محاسبه است:



filereader.php?p1=main_8c6d22ff6f63fc671



که در آن، بزرگنمایی عبارت است از نسبت طول خط تصویری CRT به طول خط تصویری روی نمونه (یا نسبت ضلع مربع تحت اثر پرتو (روی نمونه) به ضلع مربع CRT). با توجه به ثابت بودن مشخصات CRTبه عنوان یک عامل سخت افزاری، با کاهش اندازه ی مربع تحت اثر پرتو (که به آن قاب تصویر (Frame Store) می گویند)، می توان بزرگنمایی را افزایش داد. بنابراین بزرگنمایی در SEM به وسیله ی جریان سیم پیچ های روبش x و y مشخص می شود. به عنوان مثال اگر پرتوی الکترونی، سطحی به اندازه ی 10 در 10 میکرومتر مربع را روی نمونه روبش کند و تصویر روی CRT، 100 در 100 میلیمتر مربع باشد، بزرگنمایی خطی 10 هزار برابر خواهد بود. حال اگر بخواهیم بزرگنمایی خطی را به 100 هزار برابر برسانیم، با توجه به ثابت بودن سخت افزاری ابعاد CRT، باید سطح روبش شده توسط پرتوی الکترونی را به مربعی با اضلاعی به اندازه ی 0.1 میکرومتر کاهش دهیم. ممکن است به جای بزرگنمایی خطی از بزرگنمایی سطح و به جای استفاده از نسبت طول ها از نسبت مساحت ها استفاده شود[1،7،8].

5-2- خصوصیات نمونه های SEM
در اکثر SEMها، نمونه ها بر روی یک نمونه گیر متصل به یک پایه نصب می شوند و به طور مستقیم یا پس از عبور از یک محفظه ی میانی، وارد محفظه ی اصلی می شوند. ابعاد نمونه با توجه به ابعاد هندسی محفظه و تجهیزات سخت افزاری عملیات روبش و آشکارسازی محدود می شود. این محدودیت ابعادی از جهت X، Y و Z وجود دارد که البته میزان این محدودیت به مدل دستگاه بستگی دارد. به دلیل محدودیت ابعادی نمونه ها معمولا نیاز به کوچک کردن نمونه های اصلی وجود دارد.
صلب بودن نمونه ی مورد مطالعه از دیگر خواص لازم است. جامد بودن شرط لازم برای صلب بودن است، اما شرط کافی نیست. با توجه به مکش بسیار شدیدی که در حین برقراری خلأ در محفظه وجود دارد، علاوه بر جامد بودن نمونه، خشک بودن و عدم خروج مواد فرار، رطوبت و انواع چربی از نمونه بسیار حائز اهمیت است. خروج این مواد از نمونه می تواند باعث آلوده شدن محفظه، منافذ و مجاری سیستم خلأ و تداخل در مسیر و پراکندگی پرتوهای الکترونی گردد[1].

5-3- آماده سازی نمونه های SEM
5-3-1- تمیزکردن
هرگونه آلودگی و ماده ی اضافی موجود روی نمونه بر پردازش با اشعه ی ایکس و الکترون و حصول تصویر مناسب تأثیر می گذارد. این لایه هاو ذرات مزاحم، علائم جعلی تولید نموده و نتایج را تغییر  دهند. برای تمیز کردن نمونه از حلال های آلی چون استون، اتانول و متانول یا مخلوطی از آنهااستفاده می شود.
5-3-2- ثابت کردن نمونه
برخی از نمونه ها به صورت پودری یا به صورت ترد (مانند دوده) هستند. اگر این نمونه ها در هنگام کار با SEM در محل نمونه گیر محکم نشوند، صدمات جدی به دستگاه و سیستم خلأ وارد می آورند. نمونه گیری از نمونه های پودری باید با دقت زیادی انجام شود. نمونه سازی با پودر معمولا با استفاده از چسب های دوطرفه انجام می گیرد. این چسب ها از یک طرف به سطح نمونه گیر واسطه و از طرف با پودر تماس داده می شوند. برای پراکنده سازی خوب پودرها می توان از روش آلتراسونیک استفاده نمود.
نمونه ها در هنگام کار با میکروسکوپ باید کاملا ثابت باشند که برای این منظور نمونه گیرهایی اختصاص داده شده است. اگر نتوان نمونه را در نمونه گیر جای داد، از انواع چسب های هادی مقاوم در برابر خلأ استفاده می شود.
5-3-3- برقراری اتصال الکتریکی
به دو علت نمونه یا حداقل سطح نمونه باید رسانای الکتریسیته باشد: (1) عملیات روبش الکترونی انجام گیرد و امکان حرکت الکترون های پرتوی الکترونی روی سطح فراهم شود و (2) پرتوهای الکترونی بازگشتی از نمونه در یک ناحیه تجمع نکنند. بدین ترتیب، باید سطح نمونه های SEMبا نمونه گیر، پایه و ... یک مدار الکتریکی تشکیل دهند. پس اولا سطح نمونه ها باید رسانا باشد و دوما اتصال الکتریکی آن با نمونه گیر برقرار باشد. اگر رسانایی سطح نمونه به طور کامل برقرار نشود، الکترون ها تجمع نموده و این باعث شکسته شدن پرتوی الکترونی و تغییر مسیر الکترون ها می شود. پیامد نامطلوب این پدیده، سفید شدن قسمت هایی از تصویر است که در این صورت امکان تشخیص جزئیات تصویر در منطقه ی سفید شده وجود نخواهد داشت. این پدیده شارژ سطحی الکترون (Electron Surface Cahrging) نام دارد. نمونه هایی که در مانت غیرهادی (Mount) قرار گرفته اند نیز باید با محل نمونه گیر اتصال الکتریکی برقرار نمایند. این کار با اتصال چسب رسانا، از نمونه ی داخل مانت به سطح زیرین انجام می شود. چندرسانه ای 2 تأثیر وجود لایه ی رسانا بر روی نمونه ی نارسانا را نمایش می دهد.


برای رسانا کردن سطح نمونه های نارسانا معمولا از بخار فلزاتی چون طلا، نقره، پالادیم، پلاتین، اوسمیم، ایریدیم، تنگستن، کروم و یا پوشش های کربنی استفاده می شود که به روش رسوب فیزیکی بخار (Physical Vapor Deposition) یا کندوپاش (Sputtering) بر سطح اعمال می شود. نمونه ی این دستگاه در شکل 5 مشاهده می شود. ضخامت پوشش ایجاد شده بسیار کم است و تأثیری بر موفولوژی سطحی نمونه ندارد. حداقل ضخامت پوشش به ناهمواری سطح بستگی داشته و از 5 آنگستروم برای سطوح میکروسکوپی تا 100 آنگستروم برای سطوح صاف و 1000 آنگستروم برای سطوح زبر و خشن متغیر است[1،4،7،9]. شکل 6 یک عنکبوت را نشان می دهد که با طلا پوشش داده شده تا برای بررسی با SEMآماده شود[7].

filereader.php?p1=main_ed92eff813a02a31a
شکل 5–شمایی از دستگاه کندوپاش جهت پوشش دهی نمونه یSEM از [10].


filereader.php?p1=main_c6c27fc98633c8257
شکل 6–عنکبوت پوشش داده شده با طلا جهت بررسی با SEM از[7].


5-3-4- اچ کردن
هنگامی که از کانتراست عدد اتمی استفاده می شود، اچ کردن نیاز نیست چرا که اختلاف عدد اتمی خود باعث مشخص شدن فازها می شود. بدین صورت که فاز با عدد اتمی کمتر، تیره تر و فاز حاوی عناصر سنگین تر روشن تر ظاهر می شود. اچ کردن در هنگام استفاده از کانتراست توپوگرافی نیاز است تا بتوان پستی ها و بلندی های سطح را با اچ کردن نمایان کرد. برای این منظور می توان از اچ یونی یا الکترولیتی استفاده کرد[4].

5-4- کاربردها
SEM در مطالعات بسیاری از مواد نظیر فلزات، آلیاژها، مواد مغناطیسی، ابررساناها، نیمه رساناها، سرامیک ها، کامپوزیت ها، دوفلزی ها، پودرها، بلورهای یونی، پلیمرها، عایق ها، لاستیک ها و پلاستیک ها به کار برده می شود. این تحقیقات در شاخه های گوناگونی چون رشد بلور و دانه، انجماد، جهات دوقلویی و بلوری، شکست، بازیابی، تبلور مجدد، خستگی، خوردگی، اکسیداسیون، سایش، فرسایش، تغییر شکل مکانیکی، اتصالات الکتریکی، مغناطیس ها، اجزای نیمه رسانا، مدارهای الکترونی و پوشش دهی صورت می گیرد. با بررسی با SEM می توان اطلاعاتی در حوزه های مورفولوژی، توپوگرافی، ترکیب و کریستالوگرافی به دست آورد[4].

چندین نمونه از کاربردهای SEMعبارتند از[1،2،4،8]:


• شکست نگاری (Fractography):
1) ارزیابی کلی سطح شکست و تعیین عامل شروع شکست
2) تعیین مکانیزم شکست
3) بررسی شکست های ناشی از خستگی (Fatigue)


• متالوگرافی (در بزرگنمایی های بالا):
1) تعیین اندازه ی دانه
2) تعیین ساختار متالوگرافی در نمونه های مختلف
3) بررسی مرزدانه ها حتی در حالت اچ نشده
4) ارزیابی چگونگی حضور فازهای مختلف در ساختار، خصوصا فازهای رسوبی
5) ارزیابی گرادیان ترکیب شیمیایی روی سطح نمونه‌ها در فواصل میکرو و نانومتری
6) بررسی گسترش و مسیر انتشار ترک ها نسبت به اجزای ساختاری (مرزدانه ها، درون دانه، رسوبات، آخال ها و ...) در نمونه ی پولیش و اچ شده

• ریخته گری و انجماد:
1) بررسی ساختار دندریتی حاصل از انجماد
2) بررسی پدیده ی جدایش فازی در حین انجماد
3) بررسی ساختار کامپوزیت های ریختگی

• مهندسی سطح:
1) شناسایی حفره ها
2) بررسی ساختار پوشش ها
3) تریبولوژی و بررسی سایش

• خوردگی:
1) تشخیص نوع و مکانیزم خوردگی
علاوه بر موارد ذکر شده، SEM کاربردهای بسیاری نیز در فناوری نانو دارد که از این جمله می توان اندازه گیری محدوده ی اندازه ی نانوذرات و بررسی مورفولوژی آنها، بررسی ساختار نانوکامپوزیت ها، ساختار نانولوله ها، تغییرات نانوساختارها در عملیات مختلف، نانوالیاف، پوشش های نانوساختار، نانوساختارهای دارویی، نانوفیلترها، ساختار نانوفلاورها (Nano Flowers)، نمونه های بیولوژیک و بررسی پدیده ها و استحاله ها در مقیاس نانو را نام برد[1].

5-5- مزایا[6،11،12]:
• امکان بررسی تقریبا تمامی انواع نمونه ها چه هادی و چه غیرهادی؛
• عدم نیاز به نمونه های شفاف (به دلیل مکانیزم عمل که بر اساس برهم کنش پرتوی الکترونی با نمونه است)؛
• امکان تصویربرداری در سه بعد X، Y و Z؛
• امکان برقراری ارتباط و تنوع نتایج با استفاده از آشکارسازهای مختلف؛
• راحت بودن کار با دستگاه با وجود آموزش های مناسب و پیشرفت های کامپیوتری همراه با نرم-افزارهای ویژه؛
• سریع بودن کار با دستگاه؛
• نیاز به آماده سازی اولیه ی کم برای اغلب نمونه ها.

5-6- محدودیت‌ها[6،11،12]:
• گران، بزرگ و نیاز به محیطی عاری از تداخل های الکتریکی، مغناطیسی و ارتعاشی؛
• وضوح پایین، معمولا در بیشتر از چند ده نانومتر؛
• سیاه- سفید بودن تصاویر به دلیل استفاده از پرتوی الکترونی (با اینحال در سیستم‌های مدرن که مجهز به نرم افزار آنالیز تصویر هستند می توان با ایجاد رنگ های مصنوعی(Pseudo-color) تصاویر نسبتا رنگی به دست آورد)؛
• نیاز به خلأ بالا در سیستم؛
• نیاز به آموزش ویژه و تجربه جهت دستیابی به نتایج عالی و تشخیص نتایج گمراه کننده (Artifacts).

5-7- بحث و نتیجه گیری
عمق میدان بالا، حد تفکیک و بزرگنمایی زیاد از مزایای SEMمحسوب می شود. عمق میدان در SEMبیش از 100 برابر میکروسکوپ نوری است که می توان با کاهش اندازه ی روزنه ی نهایی و افزایش فاصله ی کاری آن را افزایش داد. حد تفکیک و بزرگنمایی بالای دستگاه نیز به علت استفاده از پرتوی الکترونی با قطر کم و طول موج کم است.
نمونه های مورد مطالعه در دستگاه باید ابعاد مشخصی داشته باشند و صلب باشند. مهم ترین مراحل آماده سازی، تمیز کردن، ثابت کردن، برقراری اتصال الکتریکی و اچ کردن است. برقراری اتصال الکتریکی برای نمونه های نارسانا با ایجاد یک لایه پوشش نازک رسانا بر روی آنها حاصل می شود. امروزهSEM با مزایای بسیاری که دارد به یکی از مهم ترین و رایج ترین دستگاه های شناسایی مواد تبدیل شده است.



میانگین امتیاز : 4.3/5 | تعداد رای : 18
نسخه قابل چاپ
نمایه ها : قدرت تفکیک بزرگنمایی نمونه سازی پوشش دهی میکروسکوپ‌ الکترونی روبشی SEM

منابـــــع :

  • 1. م. کرباسی،"میکروسکوپ الکترونی روبشی و کاربردهای آن در علوم مختلف و فناوری نانو"،چاپ اول، اصفهان: جهاد دانشگاهی واحد صنعتی اصفهان،(1388).
  • 2. Goodhew, P. J., Humphreys, J., Beanland, R., “Electron Microscopy and Analysis”, 3rd Edition. London: Taylor & Francis, (2001).
  • 3. Zhou, W., Wang, Z. L. (Editors), “Scanning Microscopy for Nanotechnology - Techniques and Applications”, New York: Springer, (2006).
  • 4. ی. خرازی و ا. ش. غفور،"ابزار شناسایی ساختار مواد"،چاپ اول، تهران: دانشگاه علم و صنعت ایران،(1380).
  • 5. http://en.wikipedia.org/wiki/Visible_spectrum.
  • 6. Goldstein, J. I., Newbury, D., Joy, D. C., Lyman, C. E., Echlin, P., Lifshin, E., Sawyer, L., Michael, J. R., “Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis”, 3rd Edition. New York: Kluwer Academic/Plenum, (2003).
  • 7. http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_electron_microscope.
  • 8. پ. مرعشی، س. کاویانی، ح. سرپولکی و ع. ذوالفقاری،"اصول و کاربرد میکروسکوپ¬های الکترونی و روش¬های نوین آنالیز - ابزار شناسایی دنیای نانو"،ویرایش دوم. چاپ دوم، تهران: دانشگاه علم و صنعت ایران،(1389).
  • 9. Echlin, P., “Handbook of Sample Preparation for Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis”, New York: Springer, (2009).
  • 10. http://www.theanchorsite.com/wp-content/uploads/2009/06/carbon_coating.jpg.
  • 11. www.eng.utah.edu/~lzang.
  • 12. http://www.microscopemaster.com/scanning-electron-microscope.html.
برای ثبت نظر خود لطفا لاگین کنید.
نظر

مربوط به مقاله :

برای ثبت نظر خود لطفا لاگین کنید.

پاسخ ستاد :

پاسخ ستاد :

هیچ نظری پیدا نشد

هیچ سوالی پیدا نشد