1

ارتقای فناوری ذخیره‌سازی داده‌ها به كمك نانوسیمهای سیلیكونی

موضوع : نانوسیم - برق و رایانه کلمات کلیدی : ذخیره اطلاعات - نانوسیم سیلیکونی تاریخ خبر : 1386/05/13 تعداد بازدید : 1973

دانشمندان موسسه ملی استاندارد و فناوری با همکاری دانشگاه جورج ماسون و دانشگاه کووانگ ون در کره حافظه‌هایی ساختند که نانوسیمهای سیلیکونی را با تعداد بیشتری از انواع ذخیره‌کننده‌های اطلاعات ترکیب می‌کنند. این ساختارهای ترکیبی خیلی مطمئن‌تر از ابزارهای حافظه مبتنی بر نانوسیمها هستند که اخیراً ساخته شده‌اند و به آسانی به کاربرد تجاری می‌رسند.

دانشمندان موسسه ملی استاندارد و فناوری با همکاری دانشگاه جورج ماسون و دانشگاه کووانگ ون در کره حافظه‌هایی ساختند که نانوسیمهای سیلیکونی را با تعداد بیشتری از انواع ذخیره‌کننده‌های اطلاعات ترکیب می‌کنند.

این ساختارهای ترکیبی خیلی مطمئن‌تر از ابزارهای حافظه مبتنی بر نانوسیمها هستند که اخیراً ساخته شده‌اند و به آسانی به کاربرد تجاری می‌رسند. این ابزار از نوع حافظه‌های غیرفرار می‌باشند. به این معنی که اطلاعات ذخیره شده وقتی سیستم خاموش است از بین نمی‌روند.

حافظه‌های فلش که در کارتهای حافظه دوربینهای دیجیتالی و حافظه‌های USB و ... استفاده می‌شوند، نمونه شناخته شده‌ای از حافظه‌های غیرفرار هستند. در این طرح، نانوسیمها با آخرین مدل حافظه‌های غیرفرار که یک ساختار لایه‌ای معروف به فناوری نیمه‌هادی- اکسید- نتیرید- اکسید- نیمه‌هادی (SONOS) هستند تکمیل می‌شوند.

همچنین نانوسیمها بوسیله روش خودتنظیم، بدون حضور دست مستقر می‌شوند که می‌تواند به کاهش قیمت کلی ساخت این ابزارها در مقیاس زیاد نسبت به کارتهای حافظه فلش منجر شود که نیازمند روشهای تولید پیچیده‌تری هستند.